اثر "نوسانات پهنای چاه " بر روی حالت های تشدید یک سد دو گانه

پایان نامه
چکیده

خواص الکترونیکی نیم رساناها مبنای توسعه ی شگفت انگیزی در ایجاد قطعات مینیاتوری در حدود ابعاد کوانتومی یا ابعاد نانو متر شده است . اساسی ترین تفاوت در خاصیت نیم رساناها به نوار گاف در ساختار نواری آنها مربوط می شود . فصل یک این پایان نامه مختصری از این خواص را بیان می کند . پیشرفت تکنولوژی ساخت قطعات ، امکان ایجاد لایه های نازک ماده ای روی ماده دیگر را فراهم نموده است . ساختارهای ترکیبی قطعات نیم رسانا و محاسبه ضریب عبور الکترون ها از این ساختارها موضوع فصل دوّم می باشد . فصل سوّم نیز شرح کوتاهی برای چند نمونه از این قطعات ارائه می دهد . عبور الکترون از این ساختارها که به پدیده تونل زنی کوانتومی معروف است ، ایجاب می کند که الکترون ها رفتار موج گونه داشته باشند . فیزیک نیمه کلاسیک از توجیه این رفتار عاجز است و می باید از دید کوانتومی به این مسئله نگاه کرد که در ابتدای فصل چهارم بطور مختصر توضیح داده می شود . در ادامه این فصل تونل زنی تشدیدی از ساختارهای سد دو گانه و ویژگی های جریان – ولتاژ این ساختارها در ایجاد مقاومت دیفرانسیل منفی مورد بحث قرار می گیرد . در پایان این فصل خلاصه ای از مکانیزم تونل زنی در نیم رساناها بیان می شود . فصل پنجم نیز یک مدل ساده میکروسکپی از تونل زنی تشدیدی سد دو گانه در یک سیستم کوانتومی ارائه می دهد . حالت های تشدیدی در ساختارهای سد دو گانه ، یعنی حالت هایی که ضریب عبور الکترون از این ساختارها نزدیک به یک و یا حتّی یک است ، مورد توجه می باشد . مطالعه نظری بر روی انرژی های حالت های تشدیدی در این ساختارها با توجه به ساده سازی های ارائه شده هنگامی که پهنای چاه نوسان می کند و مقایسه آنها با انرژی های حالت تشدید این ساختارها در حالت استاتیک نیز موضوع فصل پایانی می باشد.

منابع مشابه

وابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی GaN/AlGaN به پهنای سد و چاه کوانتومی

Internal polarizations field which take place in quantum structures of group-III nitrides have an important consequence on their optical properties. Optical properties of wurtzite AlGaN/GaN quantum well (QW) structures grown by MBE and MOCVD on c-plane sapphire substrates have been investigated by means of photoluminescence (PL) and time resolved photoluminescence (TRPL) at low-temperature. PL ...

متن کامل

مطالعه اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر تابع دی الکتریک نانو لایه های نیمرسانا

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...

متن کامل

وابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی gan/algan به پهنای سد و چاه کوانتومی

در این مقاله اثر پهنای سد و پهنای چاه کوانتومی gan/algan بر روی انرژی گذارهای اپتیکی و طیف فتولومینسانس آنها با استفاده از تکنیک فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعه طیف فتولومینسانس این چاه های کوانتومی در دماهای پایین نشان می دهد که نحوه تغییرات انرژی گذار اپتیکی بر حسب پهنای سد در ساختارهای کوانتومی gan/algan بر خلاف آنچه که در سایر نیمرساناها از قبیل آلیاژهای gaas مشاهده شده, می ب...

متن کامل

اثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی

  The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023